芯片用锁相红外热成像系统P10 欢迎咨询 苏州致晟光电科技供应

尽管锁相红外技术在检测领域具有优势，但受限于技术原理，它仍存在两项局限性，需要在实际应用中结合场景需求进行平衡。首先，局限性是 “系统复杂度较高”：由于锁相红外技术需要对检测对象施加周期性热激励，因此必须额外设计专门的热激励装置 —— 不同的检测对象（如半导体芯片、复合材料等）对激励功率、频率、方式的要求不同，需要针对性定制激励方案，这不仅增加了设备的整体成本，也提高了系统搭建与调试的难度，尤其在多场景切换检测时，需要频繁调整激励参数，对操作人员的技术水平提出了更高要求。致晟 LIT 凭 0.0001℃灵敏度，能捕 IC 栅极漏电这类微小缺陷。芯片用锁相红外热成像系统P10

锁相红外热成像系统平台的重要优势之一，在于其具备灵活的多模式激励信号输出能力，可根据被测目标的材质、结构及检测需求，精细匹配比较好激励方案。平台内置的信号发生器支持正弦波、方波、三角波等多种波形输出，频率调节范围覆盖 0.01Hz-1kHz，输出功率可根据目标尺寸与导热特性进行 0-50W 的连续调节。例如，检测金属等高热导率材料时，因热传导速度快，需采用高频（100-500Hz）正弦波激励，确保缺陷区域形成稳定的周期性热响应；而检测塑料、陶瓷等低热导率材料时，低频（0.1-10Hz）方波激励能减少热扩散损失，更易凸显材料内部的热阻差异。同时，平台还支持自定义激励信号编辑，工程师可通过配套软件设置激励信号的占空比、相位差等参数，适配特殊检测场景，如航空复合材料层合板的分层检测、动力电池极耳的焊接质量检测等。这种多模式适配能力，使系统突破了单一激励方式的局限性，实现了对不同行业、不同类型目标的多方面覆盖检测。缺陷定位锁相红外热成像系统平台LIT技术已成为微光显微镜（EMMI）之后重要的热类失效分析手段之一。

在半导体、微电子和功率器件领域，产品的性能与寿命往往取决于对热效应的精细控制。然而，传统的热成像手段受限于灵敏度和分辨率，难以满足现代高密度芯片和复杂封装工艺的需求。锁相红外热成像技术（Lock-in Thermography，简称LIT）凭借调制信号与热响应的相位差分析，能够有效放大微弱热源信号，实现纳瓦级的热异常定位。这一突破性手段为失效分析提供了前所未有的精细性。致晟光电在该领域深耕多年，结合自身研发的热红外显微镜与InGaAs微光显微镜，为行业客户提供了一套完整的高灵敏度检测解决方案，广泛应用于芯片短路点定位、功率器件散热优化以及复合材料缺陷检测，为半导体产业链的可靠性提升注入新动能。

在实际应用中，致晟光电的锁相红外检测方案大多用于IC芯片、IGBT功率器件、MEMS器件以及复合材料等多个领域。例如，在芯片失效分析中，锁相红外能够快速识别引脚短路与漏电流路径，并通过相位分析定位至具体区域，帮助研发人员在短时间内找到失效根因。在功率器件检测中，该技术可识别IGBT模块中的局部热点，防止因热失控导致的器件击穿，从而为新能源汽车、电力电子设备的可靠运行提供保障。在材料研究中，锁相红外能够探测肉眼不可见的分层与微裂纹，辅助科研人员优化材料工艺。通过这些落地场景，致晟光电不仅为客户节省了研发与测试成本，更推动了整个行业的质量标准向更高层次发展。空间分辨率高：结合显微光学系统，可达微米级。

锁相红外热成像系统的有效探测距离并非固定值，而是受镜头焦距、探测器灵敏度两大**因素影响，在常规工业场景下，其探测距离通常可达数米至数十米，能满足多数工业检测需求。镜头焦距直接决定系统的视场角与空间分辨率，长焦距镜头可将探测距离延伸至数十米，但视场角较小，适用于远距离定点检测；短焦距镜头视场角大，探测距离相对较近，适合近距离大面积扫描。探测器灵敏度则影响系统对微弱信号的捕捉能力，高灵敏度探测器可在远距离下捕捉到目标的微弱红外辐射，进一步扩展有效探测距离。在安防监控领域，搭载长焦距镜头与高灵敏度探测器的锁相红外热成像系统，可在 20-30 米距离内清晰识别夜间人体目标，即使在低光照环境下，也能通过精细探测实现可靠监控。锁相红外能够在极低的信噪比条件下，识别出微小的热异常区域，实现高灵敏度、定量化的缺陷定位。缺陷定位锁相红外热成像系统平台

致晟光电技术团队优化算法，实现实时锁相热成像。芯片用锁相红外热成像系统P10

尤其在先进制程芯片研发过程中，锁相红外热成像系统能够解析瞬态热行为和局部功耗分布，为优化电路布局、改善散热方案提供科学依据。此外，该系统还可用于可靠性评估和失效分析，通过对不同环境和工况下器件的热响应进行分析，为量产工艺改进及产品稳定性提升提供数据支撑。凭借高灵敏度、高空间分辨率和可靠的信号提取能力，锁相红外热成像系统已经成为半导体研发与失效分析中不可或缺的技术手段，为工程师实现精细化热管理和产品优化提供了有力保障。芯片用锁相红外热成像系统P10